
分享:基于脈沖渦流技術(shù)的夾套管內(nèi)管腐蝕檢測
化工運輸管道常常采用夾套結(jié)構(gòu)來加熱或冷卻運輸管道中的原料,夾套管是一種管道內(nèi)外安裝同心雙層碳鋼套管的管道。夾套管在役期間,經(jīng)過長期的運輸沖刷,管道內(nèi)管與外管之間存在著壓力差,并且運輸?shù)慕橘|(zhì)常常帶有一定的腐蝕特性,極易造成夾套的壁厚減薄,嚴重危害夾套管的在役生產(chǎn)與運輸安全[1]。由于夾套管的結(jié)構(gòu)限制,對于夾套管的內(nèi)管檢測,常規(guī)檢測方法中超聲、漏磁等方法均無法達到檢測要求[2-6],故其一直是工程中的一個難題。為確保夾套管道的在役安全性與穩(wěn)定性,找到一種針對夾套管內(nèi)管的合理檢測方法,有著十分重要的意義。
脈沖渦流檢測是一種非接觸式的外檢測方法[7],目前已經(jīng)在帶包覆層管道中有了廣泛的應(yīng)用且效果明顯。脈沖渦流檢測原理與常規(guī)渦流檢測原理不同,其在探頭上加載一定占空比的雙極性方波,使被測管道中產(chǎn)生一個快速衰變的渦流,渦流由電信號轉(zhuǎn)化為磁信號后,被檢測線圈以衰減的電壓形式捕獲,由于管道中壁厚減薄部位的電導(dǎo)率與磁導(dǎo)率會發(fā)生改變,故在接收線圈中得到的衰減電壓也不同,以此為依據(jù)可判斷出管道的腐蝕情況,從而評價管道的壁厚與缺陷情況。脈沖渦流檢測的激勵信號與接收信號示意如圖1所示,t=0至t=t3為激勵的正向供電時間;t=t4至t=t7為激勵的反向供電時間;t=0至t=t1為激勵的上升沿;t=t2至t=t3為激勵的下降沿。脈沖渦流檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意如圖2所示,該系統(tǒng)主要由探頭、激勵電路、放大電路和接收電路組成,激勵電路在探頭的激勵線圈中驅(qū)動雙極性方波,使空間磁場發(fā)生變化,作用在管道上產(chǎn)生渦流,快速衰變的渦流產(chǎn)生二次磁場,經(jīng)過探頭捕獲后被放大采集,再經(jīng)上位機處理,得到易被觀測的結(jié)果。
脈沖渦流檢測有著對環(huán)境依賴低、檢測速度快、檢測費用低、穿透能力強、無需耦合劑等優(yōu)點[8-10],文章應(yīng)用脈沖渦流檢測技術(shù),在不去除夾套管外管的情況下對其內(nèi)管進行檢測。首先采用有限元仿真分析軟件從仿真的角度分析渦流場的分布,其次進行實際試驗并分析檢測結(jié)果,討論其實用性。
1. 有限元仿真
1.1 有限元仿真原理
有限元法是將一個連續(xù)物體分割成有限個離散大小的單元,把一個連續(xù)的無窮自由度問題變?yōu)殡x散的有限自由度問題的方法,以求解電磁場在空間中分布的大小方向等。電磁有限元仿真基于麥克斯韋方程組,其微分形式為
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式中:
1.2 仿真模型建立
采用有限元軟件建立三維夾套管仿真模型,仿真模型與網(wǎng)格劃分如圖3所示。其中,夾套管外管長度為400 mm,外徑為150 mm,內(nèi)徑為140 mm;內(nèi)管長度為400 mm,內(nèi)徑為84 mm,外徑分別為100.0,98.4,96.8 mm;內(nèi)管與外管同軸心放置,圖中已經(jīng)對空氣域進行了隱藏,并且切割剖分了模型的一半。夾套管的內(nèi)管和外管材料均為20碳鋼。
探頭模型如圖4所示,其為直角U形探頭,激勵線圈繞在鐵氧體的磁芯上,接收線圈置于鐵氧體的下方,緊貼磁芯。仿真中設(shè)置探頭距離套管外管提離高度為5 mm,激勵線圈匝數(shù)為489匝,兩個接收線圈的匝數(shù)均為200匝,對不同厚度的內(nèi)管分別進行仿真研究。有限元仿真中設(shè)置激勵電流為0.51 A,內(nèi)管和外管相對磁導(dǎo)率為175,電導(dǎo)率為1.12×107 S/m,空氣域為橢圓形,無限元域?qū)雍駷?0 mm。仿真采用自由四面體網(wǎng)格進行剖分,并且只求解了模型的一半,為了簡化模型與準確描述研究對象的模型和結(jié)構(gòu),在剖分網(wǎng)格時,對探頭正下方的管道進行了掃掠,細化剖分了探頭正下方的區(qū)域,并且對內(nèi)管和外管進行邊界層設(shè)置,其中邊界屬性均設(shè)置為5,拉伸因子設(shè)置為1.2。
1.3 仿真結(jié)果分析
以有限元仿真中8 mm厚的內(nèi)管為例,繪制了不同時刻的夾套管內(nèi)外管的渦流分布,如圖5所示,在每個分圖中左圖例代表的是內(nèi)管的渦流分布,右圖例代表的是外管的渦流分布。當(dāng)激勵關(guān)斷后,在t= 10−5 s時,在夾套管外管外壁表面上,產(chǎn)生兩處位于U形探頭兩端的激勵線圈的正下方的渦流,該渦流中間存在盲區(qū),兩處渦流存在相交的邊界區(qū)域,并且此區(qū)域在探頭正下方的電流密度模最大,能量最集中。在t=10−5 s和t=10−4 s時,夾套管的內(nèi)管上基本上不產(chǎn)生渦流。
隨著時間的推移,t=10−4 s時渦流從探頭正下方的外管外壁上開始向四周擴散,并且渦流從外管表面向管道內(nèi)部滲透; t=10−3 s時渦流已經(jīng)從夾套管的外管滲透到內(nèi)管外壁表面,并且緩慢增大。
當(dāng)t=0.01 s后,外管外表面的渦流大部分已經(jīng)滲透到外管內(nèi),此時夾套管的內(nèi)管外表面產(chǎn)生的渦流也逐漸增大,此渦流沿著管道的周向方向,渦流能量集中于探頭正下方,內(nèi)管表面渦流也逐漸向內(nèi)管內(nèi)部滲透;在t=0.1 s后,內(nèi)管的渦流已經(jīng)基本衰減消耗完全;t=0.5 s時,內(nèi)外管道的微弱渦流已經(jīng)沿著管道的周向方向衰減完全。
2. 檢測試驗
2.1 試驗平臺
脈沖渦流試驗平臺如圖6所示,該平臺由激勵信號發(fā)生器、電壓采集電路與放大電路、探頭和平板電腦上位機組成。試驗選取合適的激勵參數(shù)對于提高檢測靈敏度具有重要意義,合適的激勵電流能夠減小噪聲的影響,較低的頻率接收時間較長,趨膚深度較大[11]。經(jīng)過試驗驗證,最終采取使用頻率為1 Hz的等寬雙極性方波,激勵電流為0.51 A。
2.2 試驗方法
試驗采用20碳鋼管道,夾套管內(nèi)管與外管尺寸示意如圖7所示。外管的外徑為150 mm,內(nèi)徑為140 mm 壁厚為5 mm。內(nèi)管有階梯管和局部腐蝕管兩種類型。階梯管壁厚分3個階梯厚度,分別為8.0, 7.2, 6.4 mm,其中內(nèi)徑為84 mm,外徑分別為100.0, 98.4, 96.8 mm。局部腐蝕管使用人工的局部腐蝕缺陷,缺陷長和寬都為50 mm,其中缺陷1的深度為7.2 mm,缺陷2的深度為1.8 mm。
當(dāng)內(nèi)套管為階梯管時,探頭擺放移動路徑分別從壁厚8.0, 7.2, 6.4 mm的內(nèi)管厚度中間位置點測3次。對于內(nèi)套管的局部腐蝕缺陷情況,探頭的移動路徑是從缺陷2遠端向缺陷1每間隔2 cm移動點測1次。探頭使用U形鐵氧體磁芯,縱向擺放在檢測夾套管外管上,探頭在磁芯的兩端腳與中間部分繞制激勵線圈,在磁芯的兩腳下方擺放接收線圈。探頭的參數(shù)與仿真中保持一致,探頭結(jié)構(gòu)尺寸示意如圖8所示。
2.3 試驗結(jié)果
得到的脈沖渦流信號示意如圖9所示。對于電壓衰減曲線,理論上信號不受激勵電流小幅度變化影響,以完整壁厚為參考,當(dāng)管道壁厚發(fā)生減薄時,信號在后期的斜率會發(fā)生改變,信號衰減的幅值明顯會比完整管道的小,并且管道壁厚越薄信號衰減得越快。剖面圖中測點a,c由完整壁厚得到,測點b由管道壁厚減薄信號得到。
通過實驗室儀器采集得到的電壓下降曲線,對3個厚度套管分別進行了3次測量,測量結(jié)果如圖10所示。圖10(a)是雙對數(shù)電壓下降曲線,對細節(jié)部位進行了放大處理。圖10(b)是圖10(a)經(jīng)過處理后得到的剖面曲線,其中位置一是套管的內(nèi)管8.0 mm厚處,對應(yīng)圖10(a)中的1,2,3;位置二是套管的內(nèi)管7.2 mm厚處,對應(yīng)圖10(a)中的4,5,6;位置三是套管的內(nèi)管6.4 mm厚處,對應(yīng)圖10(a)中的7,8,9。由圖10(a)可知,夾套管內(nèi)管同一厚度下的電壓下降曲線基本重合,在夾套管內(nèi)管不同厚度減薄時曲線區(qū)分度明顯。
對于套管的內(nèi)管局部腐蝕缺陷,其剖面圖如圖11所示,其中缺陷1檢測效果較好,能夠有效地檢測到內(nèi)管的局部缺陷,缺陷2深度較小,檢測效果較差。
分析試驗結(jié)果可知,在不去除夾套管外管的情況下,使用脈沖渦流方法檢測夾套管內(nèi)管的效果良好且明顯,當(dāng)內(nèi)管是階梯管時,能夠有效區(qū)分出夾套管的內(nèi)管壁厚減薄,當(dāng)夾套管內(nèi)管為 50 mm×50 mm×7.2 mm的局部缺陷時,能夠有效檢測出局部缺陷的腐蝕情況。
3. 結(jié)論
文章采用有限元仿真分析,得到了夾套管內(nèi)外管渦流在不同時刻的分布,設(shè)計了直角U形探頭,采用脈沖渦流法檢測了夾套管的內(nèi)管。試驗結(jié)果表明,在夾套管內(nèi)管減薄壁厚分別為10%,20%的情況下,采集得到的電壓下降曲線區(qū)分度明顯,剖面圖可以明顯區(qū)分出內(nèi)管的不同壁厚;內(nèi)管局部缺陷為50 mm×50 mm×7.2 mm時,利用剖面圖能夠有效識別并測量出內(nèi)管缺陷。
文章來源——材料與測試網(wǎng)